【摘 要】
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本文报道了制备a-GaAs 薄膜材料的一种新方法——PECTD法(等离子体加强的化学输运法).测量结果表明适当地选择并控制生长条件,可获得表面光亮、组分近化学比且重复性较好的a-
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系
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本文报道了制备a-GaAs 薄膜材料的一种新方法——PECTD法(等离子体加强的化学输运法).测量结果表明适当地选择并控制生长条件,可获得表面光亮、组分近化学比且重复性较好的a-GaAs 薄膜.文中对PECTD法的生长机理作了初步的分析.
In this paper, a new method of preparing a-GaAs thin film material, the PECTD method (plasma-enhanced chemical transport method), has been reported.The measurement results show that by selecting and controlling the growth conditions properly, the surface brightness, And good repeatability of a-GaAs thin film.This paper made a preliminary analysis of the growth mechanism of PECTD method.
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