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本文介绍了功率ＢＭＦＥＴ的结构和性能。并对介于标准垂直ＪＦＥＴ和功率ＢＪＴ之间的新型ＢＭＦＥＴ的实际单元结构的导通和关闭状态特性进行了讨论。同时还讨论了表面栅区的高斯掺杂分布对阻断电压的影响。在相同尺寸和掺杂的条件下，将这一新型ＢＭＦＥＴ器件与标准功率双极晶体管进行了对比分析。分析结果表明，新型ＢＭＦＥＴ在穿通和大电流增益时具有较高的额定电流，极低的饱和电压，而且不受电流拥挤现象的影响。