激光产生的Si等离子体的光谱分析

• 作 者: 苏茂根 敏琦 张倩倩 刘进明
• 机 构: 甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室
• 出 处: 西北师范大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2014年1期
• 关键词: 高电荷态硅离子 激光等离子体 稳态碰撞辐射(CR)模型 highly charged Si ions laser-produced plasmas stea
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（11064012,11274254,11364037）,甘肃省科技计划基金项目（1104WCGA186）,甘肃省高等学校基本科研业务费专项（1308RJZA166）,甘肃省自然科学基金资助项目（1308RJZA166）

利用双脉冲激光等离子体光谱技术测量了激光烧蚀Si靶产生的极真空紫外波段等离子体光谱,通过标定发现,光谱中的分立谱线主要来自于Si7＋-Si10＋离子的2s-2p跃迁.基于稳态碰撞辐射模型和激发态粒子数布居满足归一化玻尔兹曼分布的假设,计算了不同电荷态Si离子的离子丰度随电子温度的变化关系,并给出了不同等离子体参数条件下的理论模拟光谱.通过与实验光谱的比较,确定了等离子体参数.