论文部分内容阅读
本文测量了纯铌酸锂和高掺镁铌酸锂晶体的低温红外光谱,观察了OH^-吸收峰的温度依赖特性。研究发现纯铌酸锂的OH^-振动吸收峰基本不随温度而变化,而高掺镁铌酸锂晶体的OH^-振动吸收峰的主峰峰位随温度的降低向高波数方向移动。通过分析两种晶体中不同的缺陷模型以及H+在晶格中的占位,我们提出高掺镁铌酸锂晶体中的H^+紧邻高电性杂质缺陷(MgNb)^3-分布,直接参与缺陷集团,完全不同于纯铌酸锂晶体中H^+的分布情形,这造成了高掺镁铌酸锂晶体中OH^-振动吸收峰随温度的变化。而集团内部缺陷之间相互作用随温度降低而