【摘 要】
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本文报道了8mm硅双漂移雪崩二极管的计算机计算结果,并把双漂移器件与单漂移(P~+NN~+型)器件进行了比较,从而证实双漂移器件在输出功率和效率等方面都具有优越性,同时还研究
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,中国科学院电子学研究所
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本文报道了8mm硅双漂移雪崩二极管的计算机计算结果,并把双漂移器件与单漂移(P~+NN~+型)器件进行了比较,从而证实双漂移器件在输出功率和效率等方面都具有优越性,同时还研究了掺杂分布、温度、直流偏置和高频调制电压对器件特性的影响。本文为设计毫米波段双漂移雪崩二极管振荡器和放大器提供了理论数据。
This paper reports the computer calculation of an 8mm silicon dual-drift avalanche diode and compares the dual-drift device with a single-drift (P ~ + NN ~ +) device to verify that the dual-drift device has both output power and efficiency Advantages, but also studied the doping distribution, temperature, DC bias and high-frequency modulation voltage on the device characteristics. This article provides theoretical data for the design of millimeter-band dual-drift avalanche diode oscillators and amplifiers.
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