高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

• 作 者: 彭海波 王铁山 韩运成 丁大杰 徐鹤 程锐 赵永涛 王瑜玉
• 机 构: 兰州大学核科学与技术学院,中国科学院近代物理研究所
• 出 处: 物理学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 高电荷态离子 溅射 沟道效应
• 基金项目: 国家自然科学基金

不同电荷态低速离子(Arq+,Pbq+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额.通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在.高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的.在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额.当高电荷态离子以40°-50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应.