【摘 要】
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本文介绍了使用单栅砷化镓FET的2和11GHz混频器的设计和性能。该混频器的本振信号是加到FET源极,匹配电路是由在氧化铝基片上制作的薄膜集中元件构成。在11GHz频段达到单边带
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本文介绍了使用单栅砷化镓FET的2和11GHz混频器的设计和性能。该混频器的本振信号是加到FET源极,匹配电路是由在氧化铝基片上制作的薄膜集中元件构成。在11GHz频段达到单边带噪声系数为6.2dB,相应的变频增益为10dB。在2GHz频段,在40％的带宽内,单边带噪声系数小于6dB,变频增益大于8dB。
This article describes the design and performance of 2 and 11 GHz mixers using a single-gate GaAs FET. The local oscillator signal of the mixer is applied to the source of the FET. The matching circuit is made of a thin film concentrator fabricated on an alumina substrate. In the 11GHz frequency band to achieve single sideband noise figure of 6.2dB, the corresponding frequency conversion gain of 10dB. In the 2GHz band, within 40% of the bandwidth, the single sideband noise figure is less than 6dB and the frequency conversion gain is greater than 8dB.
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