【摘 要】
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对于采用局部氧化(LOCOS)工艺的普通LSI硅栅n-MOS技术进行了重新设计。重新设计后的有源器件隔离不再使用氮化硅作掩蔽层。这样缩短了工艺流程,同时避免了由于采用LOCOS所产
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对于采用局部氧化(LOCOS)工艺的普通LSI硅栅n-MOS技术进行了重新设计。重新设计后的有源器件隔离不再使用氮化硅作掩蔽层。这样缩短了工艺流程,同时避免了由于采用LOCOS所产生的诸如鸟嘴的形成及有源区域电的侵蚀等问题。 我们采用重新设计的E/D工艺,作一套试验掩模制造了一些器件,并对这些器件的性能进行了评价。研究发现,测量结果与理论计算位非常一致。
The general LSI silicon gate n-MOS technology using a local oxidation (LOCOS) process has been redesigned. The redesigned active device isolation no longer uses silicon nitride as a mask. This shortens the process flow while avoiding issues such as the formation of beaks and erosion of the active area due to the use of LOCOS. We fabricated some devices using a redesigned E / D process, a set of test masks, and evaluated the performance of these devices. The study found that the measurements are in good agreement with the theoretical calculations.
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