Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长

• 作 者: 王荣华 韩平 夏冬梅 李志兵 韩甜甜 刘成祥 符凯 谢自力
• 机 构: 南京大学物理学系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年z1期
• 关键词: 化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 Ge薄膜
• 基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)资助项目

用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.