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针对可见光垂直腔面发射激光器的制备，通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响，结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-xAs的铝组分和最佳位置，并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。
高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响
【摘 要】
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针对可见光垂直腔面发射激光器的制备，通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响，结合器件结构设计确
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年5期
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