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基于电流型边界条件的硅光电池模拟的新方法
基于电流型边界条件的硅光电池模拟的新方法
来源 :传感技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jlq100
【摘 要】
:
提出了一种模拟硅pn结光电池的新方法.基于电流型边界条件编程求解器件基本方程,获得符合实测条件的光电池短路电流.在此基础上,研究了衬底掺杂浓度对短路电流的影响.这一方
【作 者】
:
丁扣宝
霍明旭
【机 构】
:
浙江大学信息与电子工程学系,浙江大学信息与电子工程学系
【出 处】
:
传感技术学报
【发表日期】
:
2004年3期
【关键词】
:
硅光电池
模拟方法
短路电流
silicon light cell
simulation method
short-circuit current
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提出了一种模拟硅pn结光电池的新方法.基于电流型边界条件编程求解器件基本方程,获得符合实测条件的光电池短路电流.在此基础上,研究了衬底掺杂浓度对短路电流的影响.这一方法可用于作为探测器件的光电池的优化设计.
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