电流型大面积PIN探测器

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【摘要】

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研制了灵敏区面积为φ40,φ50和φ 60mm,耗尽层厚度为200-300μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器,并对其物理性能进行了测量.测试和应用表明,这些探测器性能稳定,漏电流符

【作者】

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欧阳晓平李真富张国光霍裕昆张前美张显鹏宋献才贾

【机构】

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复旦大学现代物理研究所,西北核技术研究所,中国工程物理研究院电子学研究所

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

：

半导体探测器大面积电流型

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研制了灵敏区面积为φ40,φ50和φ 60mm,耗尽层厚度为200-300μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器,并对其物理性能进行了测量.测试和应用表明,这些探测器性能稳定,漏电流符合使用要求.与市场上的大面积PIN半导体探测器相比,这些探测器主要在几百伏偏压下工作在电流模式, 但也可用于计数模式,而目前的商用产品仅适用于计数测量.

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