【摘 要】
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一、前言在研制大功率发射管的工作中,如何使栅极承受较大的比负荷,并保证管子的正常工作是一个相当重要的问题。尤其在钍钨阴极的大功率发射四极管中、由于钼栅极极易受阴
【机 构】
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中央广播事业局广播科学研究所电真空研究室栅极技术组,
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一、前言在研制大功率发射管的工作中,如何使栅极承受较大的比负荷,并保证管子的正常工作是一个相当重要的问题。尤其在钍钨阴极的大功率发射四极管中、由于钼栅极极易受阴极蒸发的钍激活而产生热电子发射,这种热电子发射将随着栅极比负荷的增加而增加。这将引起电子管栅偏压的失控变化而最终导致电子管的损坏。
I. INTRODUCTION In the work of developing high-power launch tubes, how to make the grid withstand a large specific load and ensure the normal operation of the tube is a very important issue. Especially in the high-power emitting diodes of the thoriated tungsten cathode, since the molybdenum gate is highly susceptible to the thermal activation of the cathode by the evaporation of thorium, the thermionic emission increases as the gate specific load increases. This will result in a loss of control of the bias of the grid and ultimately damage to the valve.
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