【摘 要】
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日本松下电子工业公司研制成通态电阻为270毫欧/毫米~2的场效应晶体管.该器件采用了在硅衬底上开沟,在其侧面形成沟道的纵向垂直的侧壁结构.功率场效应管与双极性晶体管相比
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日本松下电子工业公司研制成通态电阻为270毫欧/毫米~2的场效应晶体管.该器件采用了在硅衬底上开沟,在其侧面形成沟道的纵向垂直的侧壁结构.功率场效应管与双极性晶体管相比,具有工作速度高、
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