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【摘 要】
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设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所,大连理工大学电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2008年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（批准号：90207003,90607003）Acknowledgement The authors thank CSMC Technology Corporation for device fabrication.
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