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【摘 要】
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采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的SiGe HBT．在没有扣除测试结构的影响下，当直流偏置IC=10mA，VCE=2．5V时，fτ和fmax分别为1．8和10．1GHz．增益卢为144．25，BV
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年1期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（批准号：2002AA312010）.国家重点基础研究发展规划（批准号：G2000036603）和国家自然科学基金（批准号：60336010）资助项目
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