H3-xRxSi-X键的键离解能及硅烷基自由基生成热的计算

• 作 者: 于涛 霍红梅 钮敏
• 机 构: 河北科技大学理学院,石家庄市第九中学,石家庄制药集团
• 出 处: 河北科技大学学报
• 发表日期: 2005年3期
• 关键词: 硅烷基衍生物 键离解能 硅烷基自由基 生成热 基团电负性 alkylsiliane derivatives bond dissociation energy a

基于基团电负性用硅烷基的结构参数建立了硅烷基衍生物H3-xRxSi-X键的键离解能以及硅烷基自由基生成热的经验计算方法,利用此方法计算出了一系列H3-xRxSi-X键的键离解能,与已知的28个文献数据比较,平均偏差为4.02 kJ·mol-1,计算出来的烷基自由基的标准生成热与已知的4个文献值比较,平均偏差仅为0.30 kJ·mol-1.