论文部分内容阅读
利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性，成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器,底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内，在1．2～1．5μm范围内，反射率高达99％,探测器的共振峰在1．344μm,光响应为1.2mA／W．与普通结构的探测器相比，文中所报道的探测器光响应有8倍的增强。