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光学邻近校正（OPC）系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果。基于Gabor的“降解为主波”方法，一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似，并用高斯过滤器来模拟光刻胶横向扩散和一些掩模工艺效应，由此提出了一种基于卷积核的精确、快速地用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法。这种模型的简单性从本质上给计算和分析带来了好处。仿真结果说明这种方法是有效的。