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本文介绍了一种采用硅键合ＳＯＩ材料作衬底的离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）型ＰＨ传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流，改善了ＰＨ传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为ＰＨ传感器的实用化开发了新的途径。
离子敏PH传感器的研究
【摘 要】
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本文介绍了一种采用硅键合ＳＯＩ材料作衬底的离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）型ＰＨ传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流，改善了ＰＨ传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为ＰＨ传感器的实用化开发了新的
【机 构】
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东南大学电子工程系
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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1995年1期
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