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采用定位横断面制样的高分辨电子显微(HREM)观察了P^+-Si0.65/P-Si异质结内光发射红外探测器的微结构,该器件光敏区是由3层P^+-Si0.65Ge0.35和2层UD-Si(未掺杂硅)组成,Si0.65Ge0.35/UD-Si层间界面不明锐,有一个由于Ge原子不均匀扩散造成的过渡带,这个过渡带缓和界面的失醉心配力,因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变,耐微孪晶的厚度约为2-4晶面间