【摘 要】
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本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电
【机 构】
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华南理工大学微电子学系,华南理工大学微电子学系,信息产业部电子第五研究所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室 广东广州510640 信息产业部电子第五研究所分析中心电子元器件可靠
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本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。
This article discusses the effect of the gate length of the gate-gated NMOS (GGNMOS) on its antistatic ability and is validated by MEDICI. Based on the simulation results, the effect of gate length of GGNMOS on its breakdown voltage, secondary breakdown voltage and current, on-resistance and power dissipation was discussed for the first time.
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