【摘 要】
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用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所!天津300071,国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
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用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。
Four kinds of a-SiGex: H samples with different Ge contents were annealed under different conditions using KrF excimer laser and XeCl excimer laser. As long as the laser annealing energy density is suitable, a-siGex:H films with different Ge contents can be polycrystallized. With the increase of Ge content, the energy density of laser crystallization threshold decreases and the annealing resistance decreases. In the same laser crystal In the energy density, the higher the content of Ge, the better the effect of laser crystallization, the larger the grain size grows.
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