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通过作者最近的关于电了半导体器件ＧＡＴ的信电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了ＧＡＴ的雪崩击穿特性，并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。
GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析
【摘 要】
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通过作者最近的关于电了半导体器件ＧＡＴ的信电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了ＧＡＴ的雪崩击穿特性，并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结
【机 构】
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厦门大学物理学系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金!( No.6 9896 2 6 0 - 0 6 ),,国家高技术研究发展计划!( 86 3- 715- 0 10 )
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