GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究

• 作 者: 陈晓杰 陈建新
• 机 构: 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2000年4期
• 关键词: 异质结双检晶体管 砷化镓 GSMBE 微结构材料

采用ＧＳＭＢＥ技术，在材料表征和分析的基础上，通过优化生长条件，生长出高性能Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）微结构材料，并制备出器件，材料结构中采用厚度为６０ｎｍ、掺杂浓度为３×１０＾１９ｃｍ＾－３的掺ＢｅＧａＡｓ基区和５ｎｍ非掺杂隔离层，器件流片中采用湿法化学腐蚀制作台面结构。测试结果该类器件具有良好的结特性，在集电极电流密度２８０Ａ／ｃｍ＾２时其共发射极电流增益达