NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理对比研究

• 作 者: 乔建良 常本康 牛军 杨智 邹继军
• 机 构: 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南阳理工学院电子与电气工程系
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2009年2期
• 关键词: NEA GAN GAAS 激活 双偶极层模型 NEA GaN GaAs Activation Double dipole layer model

本文结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型，研究了NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理的异同。实验表明：NEAGaN激活过程中光电流不象GaAs那样按近似指数规律的包络慢速循环上升，而是在约1min之内就可达到峰值，Cs／O激活时引入0后光电流的增长幅度不大，NEA特性仅在Cs激活时即可获得。GaAs光电阴极激活过程中O的引入是获得NEA特性的必要条件，也是真空能级下降的重要转折点，0引入后光电流幅值有较大幅度的增长。采用双偶极层模型可以解释GaN和GaAs光电阴极Cs／O激活后表面势垒