【摘 要】
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本文介绍了在低温(50～200℃)条件下,用光CVD技术制备SiO_2及SiN薄膜的工艺方法.讨论了某些工艺参数与薄膜性质的一些关系,并对光CVD-SiO_2及SiN薄膜的物理性质和电气性质进行
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本文介绍了在低温(50～200℃)条件下,用光CVD技术制备SiO_2及SiN薄膜的工艺方法.讨论了某些工艺参数与薄膜性质的一些关系,并对光CVD-SiO_2及SiN薄膜的物理性质和电气性质进行了全面的分析.结果表明,这种低温光CVD薄膜在半导体器件工艺中将有广泛的应用.
In this paper, the preparation methods of SiO_2 and SiN thin films by optical CVD at low temperature (50 ~ 200 ℃) are discussed.The relationship between some process parameters and the properties of thin films is discussed.Moreover, the relationship between optical CVD-SiO_2 and SiN thin films Physical properties and electrical properties were analyzed.The results show that this low-temperature optical CVD film in the semiconductor device technology will have a wide range of applications.
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