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在微波双极型晶体管中，收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积（UHV／CVD）系统SGE500，在N型（掺As）重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究；并采用扩展电阻（SPR）、原子力显微镜（AFM）、双晶衍射（DCXRD）等方法，对外延层的质量进行了评价。采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管（SiGe HBT）器件击穿特性良好。