18GHz场效应放大器的实用设计

• 作 者: 幸炳华
• 机 构: 南京固体器件研究所 广州市省微波总站
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 1986年02期
• 关键词: 场效应 GHz 实用设计 噪声系数 晶体管放大器 总增益 放大器设计 噪声场 匹配电路 匹配网络

本文叙述在17.5～18GHz频带工作的低噪声场效应晶体管放大器之实用设计及其性能.放大器包括三级级联微带放大电路和波导输入/输出端口,获得了4.5dB的噪声系数和17dB的总增益.

This article describes the practical design and performance of a low-noise FET transistor operating in the band 17.5-18 GHz.The amplifier includes three cascaded microstrip amplifiers and a waveguide input / output port, achieving a noise figure of 4.5 dB and a total of 17 dB Gain.