【摘 要】
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本工作测量了S. I. GaAs中高能Mg+注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入退火后的特性。实验表明,在双注入的情况下,由注入Si+形成的有源层,其电子浓度分布受高能注入Mg~+隐埋层调
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
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本工作测量了S. I. GaAs中高能Mg+注入和高能Mg~+、低能Si~+双注入退火后的特性。实验表明,在双注入的情况下,由注入Si+形成的有源层,其电子浓度分布受高能注入Mg~+隐埋层调节;利用Mg隐埋层,消除了Si~+注入退火后的载流子分布尾,从而制得了跨导较高的GaAs MESFET,并改善了阈值电压均匀性。
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