高可靠平面型GaInAs/InP异质结构雪崩光电二极管

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhjjchj

【摘要】

：

日本KDD Meguro研究发展实验室为了确定1.55μm波长下海下光缆系统高可靠光电探测器的标准,他们对GaInAs/InP异质结构APD进行了高温长期寿命试验。在0.7eV激活能的情况下 J

【作者】

：

张瑞华

【出处】

：

半导体情报

【发表日期】

：

1989年01期

【关键词】

：

异质结构雪崩光电二极管 GaInAs/InP 光缆系统光电探测器平面型激活能寿命试验波长失效率

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日本KDD Meguro研究发展实验室为了确定1.55μm波长下海下光缆系统高可靠光电探测器的标准,他们对GaInAs/InP异质结构APD进行了高温长期寿命试验。在0.7eV激活能的情况下 Japan KDD Meguro Research and Development Laboratory In order to determine the standard of high-reliability photodetectors for submarine cable systems at 1.55μm wavelength, they conducted high-temperature long-term life tests on GaInAs / InP heterostructured APDs. In the case of 0.7eV activation energy

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