【摘 要】
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根据YoleDeveloppement指出,氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体业者受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(
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根据YoleDeveloppement指出,氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体业者受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(InternationalRectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。Yole估计,2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间,这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成
According to YoleDeveloppement, gallium nitride (GaN) devices are about to grow rapidly in the power semiconductor market, benefiting the semiconductor industry. On the other hand, they will also find themselves gradually facing challenges from Infineon / International Rectifier InternationalRectifier; IR) and other large manufacturers or M & A pressure. Yole estimates that GaN will have a global market of approximately $ 10 million in 2015 for power semiconductor applications. However, from 2016 to 2020, this market will be 93% CAGR
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