【摘 要】
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在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的
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在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。
In the InP substrate with the usual lattice matching (y = 0.53) and lattice mismatch (y> 0.53) In_ (0.53) Al_0.48As / In_yGa_ (1-y) As layer structure at the same time Production of p-channel and n-channel Zeng strong heterostructure insulated gate field effect transistor (HIGFET). A 1μm gate-length e-type p-channel HIGFET was obtained with a threshold voltage of about 0.66V, pinch-off sharpness and a gate-diode turn-on voltage of 0.9V. Extrinsic transconductance was> 20mS / mm at room temperature. Adjacent (complementary) n-small trench HIGFETs also show e-type operation (threshold V_th = 0.16V), low leakage, 0.9V gate-on voltage and high transconductance (gm> 320mS / mm). This is the first report of simultaneous fabrication of p_ and n-channel HIGFETs on InP substrates with suitable circuit characteristics.
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