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【摘 要】
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为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65 nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐102413;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049;中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2018年1期
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