GaN1-xPx三元合金的红外谱

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：error007

【摘要】

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对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元

【作者】

：

陈敦军沈波许福军陶亚奇赵红张荣郑有炓

【机构】

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南京大学江苏省光电子信息功能材料重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2005年z1期

【关键词】

：

GaN1-x-Px三元合金红外反射纵向光学声子-等离激元晶格振动

【基金项目】

：

国家重点基础研究专项(批准号:G20000683),国家高科技研究发展计划(批准号,2002AA305304),国家自然科学基金(批准号:60136020),国家杰出青年基金(批准号:60325413),江苏省创新人才基金(批准号:BK2003411)和教育部博士点基金(批准号:20020284023)资助项目

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对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元合金中载流子的浓度;另一个来自缺陷的影响,它将增加三元合金中载流子的浓度.对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算,其结果显示,随着合金中P组分比的增加,纵向光学声子-等离激元(LPP)耦合模式向高频方向移动,同时LPP模式线宽逐渐增宽,说明随着合金中P组分比的增加,LPP模式的耦合作用增加,阻尼增强.

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