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为了减少经典SOI器件的自加热效应，首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN，用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构．实验结果显示，Si3N4层为非晶状态，新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能．对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟．模拟结果表明，新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低，表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流．