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利用分子束外延技术，在ＧａＡｓ两个（１１３）晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温ＰＬ谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效应和一维量子线在上述结构中的存在。
GaAs／AlAs脊形量子线的光学研究
【摘 要】
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利用分子束外延技术，在ＧａＡｓ两个（１１３）晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温ＰＬ谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效应和一维量子线在上述结构中的
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年8期
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