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本文根据所建浮体效应的物理模型，研究了器件参数对ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系。研究结果表明，降低源漏掺杂浓度，减小体区少子寿命，采用优化的硅膜厚度，以及在保持器件全耗尽的情形下适当提高沟道掺杂浓度等，可以有效地抑制浮本效应、提高器件的源击穿电压，这些参数在工艺上可以对应ＬＤＤ＆ＬＤＳ的ＭＯＳ结构，准确控制的沟道工程以减小少子在ＳＯＩ体区的复合寿命等，为从工艺设计上进一步ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ