【摘 要】
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研究了ＧａＡｓ基ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ量子点（ＱＤ）的ＭＢＥ生长条件，发现在一定的Ⅴ／Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ ＱＤ形成及形状的一对重要因素，其中衬底温度直接影响着Ｉｎ的偏析程度，决定了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的生长模式；生长速率影响着ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ外延
【机 构】
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InstofSemiconductors
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研究了ＧａＡｓ基ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ量子点（ＱＤ）的ＭＢＥ生长条件，发现在一定的Ⅴ／Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ ＱＤ形成及形状的一对重要因素，其中衬底温度直接影响着Ｉｎ的偏析程度，决定了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的生长模式；生长速率影响着ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的质量，决定了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ ＱＤ的形状及尺寸，通过调节衬底温度和生长
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