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利用ＬＰ＝ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ（００１）衬底上生长了高质量的立方相ＩｎＧａＮ外延层，。研究了生长速率对ＩｎＧａＮ质量的影响，提出一个简单模型解释了在改变ＴＦＧａ流量条件下出现的Ｉｎ组分的变化规律，实验结果与模型的一次项拟合较为吻合，由此推断，在现在的生长条件下，表面单个Ｇａ原子作为临界晶核吸附Ｇａ原子作为临界晶核吸附Ｇａ或Ｉｎ原子实现生长的模型与实际情况较为接近，对于晶体质量的也给予了说明，得