【摘 要】
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作者曾报导过CR-39膜片在电化学蚀刻中由电致伸缩引起的振动现象,通过能量分析导出一个利用树状径迹密度S与等效直径G确定膜片所受中子剂量的公式(D_n=K_oS/G~3)。本文进一
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作者曾报导过CR-39膜片在电化学蚀刻中由电致伸缩引起的振动现象,通过能量分析导出一个利用树状径迹密度S与等效直径G确定膜片所受中子剂量的公式(D_n=K_oS/G~3)。本文进一步讨论影响径迹形成的一些因素。下面就径迹的产生与发育叙述如下: 树状径迹起源于“小坑”。由于膜片弯曲、振动,在那里发生应力集中、定穴产生与集聚、
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