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本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法，它主要包括H2SO4：H2O2溶液清洗和HF：C2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）和反射高能电子衍射（RHEED）等技术进行表征。结果表明，运用此方法能得到平整清洁的Si表面。为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染，我们提出用无水乙醇（C2nsOH）来保护H-Si表面。300℃除气前后XPS的对比结果表明，清洗后的Si表面不存在B，但吸附少量F，以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O。根据S