截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)

• 作 者: 刘亮 张海英 尹军舰 李潇 徐静波 宋雨竹 牛洁斌 刘训春
• 机 构: 中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京10
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2007年12期
• 关键词: Al As As/In Ga In 晶格匹配 截止频率 InGaAs/InAlAs InP 自主研制开发

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.

Reported a lattice matched In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As high electron mobility transistor with a cutoff frequency of 218GHz, which is the highest cutoff frequency high electron mobility transistor reported so far in China. Excellent: Transconductance of 980mS / mm, the maximum current density of 870mA / mm. The text of the material structure and preparation of all devices are independent research and development of this research group.