硅外延的新工艺——低温液相外延

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据报道,最近西德马克斯——布朗克固体研究所,已研究了一种在Ga溶液中液相外延硅的新方法,与汽相外延及一般液相外延法比较,此法具有更低的沉积温度,较高的沉积速率,品格缺陷密度低和少子寿命较高等优点。该工艺简述如下:采用浸溃法,最大的衬底尺寸 It has been reported recently that a new method of liquid-phase epitaxial silicon in Ga solution has been studied at the Solid State Research Institute of the West deMarcus Blanc. Compared with vapor phase epitaxy and general liquid-phase epitaxy, this method has a lower Deposition temperature, high deposition rate, low defect density and low life expectancy. The process is summarized as follows: The dip method, the largest substrate size
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