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山形富士通、富士通研究所、神奈川科学技术研究院（KAST）光科学重点研究所室益田研究小组共同努力，成功地以25nm间隔在氧化铝上以一维方式排列出了纳米孔（发布资料）。纳米孔是通过阳极氧化形成的。不仅有望实现记录密度达1Tbit／平米英寸的磁记录，还能将硬盘磁记录介质的记录容量提高到现有产品的5倍以匕。