纳米射频CMOS混频器的研究

• 作 者: 夏华灿 张流强 王国波
• 机 构: 重庆大学光电学院微系统中心,重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室
• 出 处: 纳米科技
• 发表日期: 2007年6期
• 关键词: RFIC 混频器 集成电路 CMOS RFIC mixer IC（integrate circuit） CMOS

介绍了混频器的工作原理、性能指标及几种重要的混频器结构。设计了以Gilbert型为核心的双端差分对混频器，使用TSMC的0．18μm CMOS工艺库，本振信号为2．25GHz，射频信号为2．5GHz；借用安捷伦公司的ADS软件模拟，模拟结果变频增益为-10dBm，双边带噪声为58．6dB，输入1dB压缩点为11dBm，同时端口隔离度也比较高。该混频器适用于中高频段的发射机。