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本文报道研制成功的一种开漏工作的200V MOS高压集成电路,并对高压NMOSFET的器件结构及N~-漂移区注入剂量进行了优化。该电路可用于自动控制的转换接口及平板显示驱动。工艺与常规低压N阱CMOS工艺兼客。
200V MOS高压集成电路的研制
【摘 要】
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本文报道研制成功的一种开漏工作的200V MOS高压集成电路,并对高压NMOSFET的器件结构及N~-漂移区注入剂量进行了优化。该电路可用于自动控制的转换接口及平板显示驱动。工艺
【机 构】
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骊山微电子学研究所,骊山微电子学研究所陕西临潼,陕西临潼
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年4期
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