【摘 要】
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运用第一性原理方法研究了CuInSe2和不同量的S掺杂CuInSe2所形成的化合物的电子结构.理论计算表明,S掺杂导致CuInSe2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺
【机 构】
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华南理工大学物理科学与技术学院,燕山大学材料科学与工程技术学院,
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运用第一性原理方法研究了CuInSe2和不同量的S掺杂CuInSe2所形成的化合物的电子结构.理论计算表明,S掺杂导致CuInSe2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺杂浓度的增加而导致的CuInSeS化合物晶格体积减小对其禁带宽度的增加有重要的影响.
The first-principle method was used to study the electronic structure of CuInSe2 and different amount of S-doped CuInSe2. The theoretical calculations show that the doping width of CuInSe2 increases due to S doping and its electronic structure and bond length It is found that the decrease of the lattice volume of CuInSeS compound due to the increase of S doping concentration has an important influence on the increase of the forbidden band width.
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