单层和双层二硫化钼化学气相沉积生长的动力学蒙特卡罗模拟研究（英文）

• 作 者: 陈帅 高峻峰 SRINIVASAN Bharathi M
• 机 构: 新加坡科技研究局高性能计算研究院
• 出 处: 物理化学学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 二硫化钼 单层生长 双层生长 化学气相沉积 动力学蒙特卡罗
• 基金项目: supported by the Science and Engineering Research Council through Grant(152-70-00017);Use of Computing Resources at the A*STAR Computational Resource Centre and National Supercomputer Centre,Singapo

通过化学气相沉积方法,可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战。因此,建立一个能够定量预测单层和多层二硫化钼生长的理论模型,并为实验制备提供指导,是十分必要的。在本文中,我们建立了一个动力学蒙特卡罗模型,来预测单层和双层二硫化钼的化学气相沉积生长。首先,我们提出了第一层和第二层的生长速率受吸附原子浓度分布的控制,以及紧凑三角形二硫化钼的生长过程为扭结成核和传播。其中,原子浓度是由吸附原子流量,吸附原子的有效寿命,生长温度,边的单位长度能量,单层和双层的单位面积结合能,成核准则决定的。扭结成核和传播是由锯齿边和扶手边附加原子所需的能量势垒决定的。然后,我们采用热力学理论准则对这些参数进行了标定。通过标定的动力学蒙特卡罗模型,我们发现第二层的生长速率与第一层的尺寸有很强的依赖性。随着第一层尺寸增加,第二层的生长速率呈单调递减趋势,甚至在第一层达到某个尺寸时,第二层的生长会被抑制。此外,我们还分析了不同生长温度和吸附原子流量下,双层二硫化钼的尺寸和形貌演化。在双层二硫化钼的整个生长过程中,第一层和第二层的形貌保持紧凑三角形,验证了扭结成核和传播模型的正确性。模拟结果表明,生长温度的升高或吸附原子流量的降低,促进了双层二硫化钼的生长,这与已报导的实验结果相吻合。生长温度升高使得第二层二硫化钼边缘的吸附原子浓度,随着远离第二层边缘的吸附原子浓度降低而相应降低,促进了双层二硫化钼的生长。同样,吸附原子流量降低减小了基体上的吸附原子浓度,降低了第一层远离边缘和靠近边缘的吸附原子浓度差,从而减缓了第一层的生长。第一层的生长减慢,减缓了第二层远离边缘和靠近边缘的吸附原子浓度差减小到零,从而促进双层二硫化钼的生长。为了更好地指导实验,我们进一步构建了双层二硫化钼生长的相图,可通过控制生长温度和吸附原子流量来实现或阻止双层二硫化钼的生长。因此,本工作不仅揭示了单层和双层二硫化钼生长所需的实验条件,而且为可控合成所需层数的二硫化钼提供了详细指导。