【摘 要】
：
<正> 本文我们利用CBED,研究了,InGaAs/GaAs超晶格样品高阶劳厄反射中的卫星线分布情况。InGaAs/GaAs超晶格是用金属有机化学汽相沉积的方法生长在GaAs[001]衬底上,InGaAs及G
【机 构】
：
中国科学院物理所中国科学院北京电镜实验室,中国科学院物理所中国科学院北京电镜实验室
论文部分内容阅读
<正> 本文我们利用CBED,研究了,InGaAs/GaAs超晶格样品高阶劳厄反射中的卫星线分布情况。InGaAs/GaAs超晶格是用金属有机化学汽相沉积的方法生长在GaAs[001]衬底上,InGaAs及GaAs层的厚度分别为100A和200A,x光双晶衍射定出其中合金属中In的含量为6％。会聚束电子衍射在EM-420上进行的。我们发现平面样品中有两种区域,1)衬底与超晶格的界面存在,可以观察在相互垂直的两[110]方向有失配位错。2)GaAs衬底与超晶格界面被Ar~+减薄掉,它可以当作自由
其他文献
针对试验机改装大型结构装配的精度与效率问题,采用激光测绘与逆向建模技术保证改装结构与原机结构的良好贴合,运用数字化型架设计技术确保复杂结构的组铆装配的精度,通过两
一种使卸料犁刀均匀磨损、自动补偿磨损、完全避免漏料的输送机犁式卸料器的研制。
思維导图作为一种新型的教学方式,通过图文结合的方式,将其应用在小学数学课堂教学中,使各个知识点连接起来,形成一个完整的知识体系,不仅能清晰的表达每个知识点的内涵,提高
以我国培育的陆地棉载品种为主，研究了农杆菌介导遗传转化过程中外植体材料、菌液浓度、感染时间、抗菌素等对论效率的影响以及愈伤组织的诱导分化过程，明确了影响睦棉遗传转化
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
沙冬青叶绿体中的淀粉粒一般为1～3个，主要有4种类型。第1种外周部分电子密度较高，中央部分较低，但每个部分的电子密度十分均匀。它们近似椭圆形，附近的类囊体形态正常，结构清晰。第
去年10月,集桥、岛、隧于一体的港珠澳大桥正式通车,使得珠海、香港、澳门三地形成"一小时都市圈"。在这被誉为"世界新七大奇迹"的背后,超高分子量聚乙烯纤维起到了巨大的作
教育部明确界定、区分全日制研究生和非全日制研究生，将原来的在职人员攻读硕士专业学位全国联考以非全日制研究生的形式并入全国硕士生入学考试。这种招生并轨，在推进依法办学